Shematic.net

Высокостабильный источник образцового напряжения

Экспериментальные исследования схемы высокостабильного источника образцового напряжения (рис.1) в диапазоне температур от 18° С до 50° С показывают, что температурная погрешность не превышает ± 0.001% / °С, временной дрейф не более ± 0.005 % за сутки. Источник имеет небольшой температурный гистерезис (рис.2).

Рис .1 Схема высокостабильного источника образцового напряжения.

Рис. 2 Температурная характеристика источника.

Для обеспечения высокой стабильности в схеме использован метод подогрева кристалла и отслеживание температуры подогрева. Для исследования выбрано транзисторную сборку типа 1НТ251, с . Транзистор Q2 служит для подогрева кристалла, а Q4 – датчик температуры. Стабилитрон D1 – Д818Е. Рабочий режим устанавливается за время не более 1 мин.

добавлено 23.07.07 19:13:07 | просмотрено 23329 раз